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該設(shè)備是***個(gè)靈活和功能強(qiáng)大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備。 采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣可進(jìn)行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴(kuò)大了允許的溫度范圍。

 
具有工藝靈活性，適用于化合物半導(dǎo)體，光電子學(xué)，光子學(xué)，微機(jī)電系統(tǒng)和微流體技術(shù)， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，詳情如下。

主要特點(diǎn)

· 可處理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）預(yù)制和試生產(chǎn)的能力

· 選擇單晶片/批處理或盒式進(jìn)樣，采用真空進(jìn)樣室。 該P(yáng)lasmalabSystem100可以集成到***個(gè)集群系統(tǒng)中，采用中央機(jī)械手傳送晶片，生產(chǎn)工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用***系列的電極進(jìn)行襯底溫度控制，其溫度范圍為-150 ° C至700° C

· 用于終端檢測(cè)的激光干涉和/或光發(fā)射譜可安裝在Plasmalab System100以加強(qiáng)刻蝕控制

· 選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性，并可以放置在遠(yuǎn)端，遠(yuǎn)離主要工藝設(shè)備

工藝
***些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設(shè)備的例子：

· 低溫硅刻蝕，深硅刻蝕和SOI工藝，應(yīng)用于MEMS ，微流體技術(shù)和光子技術(shù)

· 用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝，通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應(yīng)用，材料范圍廣泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）

·  GaN、AlGaN等的預(yù)生產(chǎn)和研發(fā)工藝，比如HBLED和其它功率器件的刻蝕

· 高品質(zhì)，高速率SiO2沉積，應(yīng)用于光子器件

· 金屬（Nb, W）刻蝕