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掃描探針光刻系統(tǒng)(SPL)

價(jià)  格:詢價(jià)

產(chǎn)  地:更新時(shí)間:2021-01-18 15:11

品  牌:型  號(hào):

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Nano analytik公司成立于2010年4月,技術(shù)源自德***伊爾梅瑙科技大學(xué),公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于傳感器、微系統(tǒng)和控制技術(shù),公司宗旨是讓納米分析技術(shù)簡(jiǎn)單化,在保證科研嚴(yán)謹(jǐn)性的同時(shí)提高科研效率。


Nano analytik研發(fā)了***款基于新型掃描探針的高性能光刻系統(tǒng)。可在大氣環(huán)境下,高經(jīng)濟(jì)效益、快速直寫(xiě)10納米以下結(jié)構(gòu)和制備納米***器件。該系統(tǒng)的閉環(huán)回路可實(shí)現(xiàn)使用同***掃描探針對(duì)納米結(jié)構(gòu)的成像、定位、檢測(cè)和操縱。


掃描探針光刻(SPL)
掃描探針光刻系統(tǒng)(SPL)

技術(shù)特點(diǎn):

  • 場(chǎng)發(fā)射低能電子束

  • 大幅降低電子束背底散射

  • 幾乎消除電子束臨近效應(yīng)

  • 無(wú)需調(diào)制電子束聚光

  • 10 nm 以下光刻精度

  • 接近原子***分辨的套刻精度

  • 線寫(xiě)速度高達(dá) 300 μm/s

  • 大氣環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)正負(fù)光刻

  • 正光刻流程無(wú)需顯影步驟

  • 大范圍分步重復(fù)工藝

  • Mix & Match 混合光刻模式

  • 閉環(huán)系統(tǒng):光刻成像同***針尖反復(fù)交替進(jìn)行

  • 多針尖并聯(lián)陣列提高效率


產(chǎn)品規(guī)格

光刻模式正光刻、負(fù)光刻
工作環(huán)境大氣、真空
*小線寬5 nm (驗(yàn)收指標(biāo))
直寫(xiě)速度300 μm/s
套刻精度< 7 nm
拼接精度< 10 nm
光刻區(qū)域200 μm x 200 μm
樣品尺寸直徑:150 mm (6 英寸)
占用空間80 cm x 100 cm x 190 cm


探針掃描頭配置

工作模式頂部XYZ掃描頭
掃描范圍(XYZ) 10 μm × 10 μm × 5 μm 可擴(kuò)展至 200 μm × 200 μm
定位精度(XYZ)0.01 nm;0.01 nm;0.01 nm
傳感器壓阻閉環(huán)傳感
輸入/輸出頻道3


樣品臺(tái)配置

工作模式底部XY定位器
運(yùn)動(dòng)范圍(XY)18 mm × 18 mm 可擴(kuò)展 150 mm × 150 mm
運(yùn)動(dòng)速度20 mm/s
運(yùn)動(dòng)精度7 nm
運(yùn)動(dòng)重復(fù)性80 nm (每運(yùn)動(dòng)100 μm)


AFM功能參數(shù)

樣品/探針接近自動(dòng)(無(wú)需激光對(duì)準(zhǔn))
探針調(diào)諧自動(dòng)
懸臂梁激發(fā)模式雙材料熱機(jī)械激發(fā)
檢測(cè)原理壓阻讀數(shù)
掃描模式接觸式,非接觸式
探針移動(dòng)范圍20 mm × 20 mm × 10 mm
精度< 10 nm
重復(fù)性± 25 nm
AFM成像范圍10 μm × 10 μm × 5 μm 可擴(kuò)展至 200 μm × 200 μm
本底噪聲0.01 nm rms 垂直方向
橫向精度99.7% 閉環(huán)掃描
掃描速度0.01 線/秒 至 10 線/秒
實(shí)時(shí)圖像顯示二維、三維形貌,相位,頻移,振幅


電子配置

分辨率 振幅/相位16-bit
反饋控制平臺(tái)實(shí)時(shí)FPGA
帶寬8 MHz
計(jì)算機(jī)接口USB, 以太網(wǎng)可選
傳感器調(diào)節(jié)0-4 V可編程電橋


軟件

實(shí)時(shí)修正線, 面, 多項(xiàng)式
輪廓線測(cè)量YES
粗糙度測(cè)量YES
對(duì)比度/亮度/色彩調(diào)節(jié)YES
3D 圖像YES
線平均YES
圖像輸出bmp, png, jpg格式
原始數(shù)據(jù)輸出txt格式
圖像后續(xù)處理軟件Gwyddion, WSxM
針尖光刻

針尖光刻的掃描探針懸臂

掃描探針光刻(SPL)組成

曝光量(40-100, 80-200μc/cm)對(duì)半節(jié)距的影響

半節(jié)距7.5nm的雙線結(jié)構(gòu)(單線寬小于5nm)

間距調(diào)制,線寬50nm



光刻表征步驟交替完成

正負(fù)光刻同步完成



 






    產(chǎn)品參數(shù)


    產(chǎn)品介紹



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